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在全球AI竞赛中迎头赶上 三星电子开始发力:芯片部门“换将”!

财联社5月21日讯(编辑 黄君芝)在当前这轮人工智能(AI)浪潮中,与AI芯片相关的市场蓬勃发展,三星电子似乎有些落后了。有鉴于此,该公司周一任命Young Hyun Jun为半导体部门的新负责人,希…

财联社5月21日讯(编辑 黄君芝)在当前这轮人工智能(AI)浪潮中,与AI芯片相关的市场蓬勃发展,三星电子似乎有些落后了。有鉴于此,该公司周一任命Young Hyun Jun为半导体部门的新负责人,希望能迎头赶上包括SK海力士在内的竞争对手。

三星电子在最新声明中介绍称,Young Hyun Jun在存储芯片领域的经验丰富。Jun于2000年加入三星半导体部门,并帮助公司开发了用于智能手机和服务器的基本DRAM和闪存芯片。

“这是一项先发制人的措施,旨在通过更新内部和外部环境来增强未来的竞争力。”该公司表示。

与此同时,三星半导体部门的原负责人Kyung Kye-hyun将担任三星先进技术研究院和未来业务团队的负责人。

发力“追赶”

分析师表示,此举可能表明三星准备在用于人工智能的高端芯片市场发力,如高带宽内存(HBM),该公司在这一领域落后于SK海力士等竞争对手。

HBM是一款新型的CPU/GPU内存芯片,简而言之就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。HBM能够实现大模型时代的高算力、大存储的现实需求。因此,HBM正逐渐成为存储行业巨头实现业绩反转的关键力量。

数据提供商TrendForce的数据显示,去年第四季度,三星在DRAM芯片市场的份额达到45.5%。然而,在小众但日益重要的HBM芯片领域,却落后于SK海力士。

BNK Investment & Securities分析师Lee Min-hee表示,“三星错过了很多全球人工智能的上升趋势。”不过好在,该公司已经开始发力追赶。

此前,三星电子在Q1财报中表示,已开始批量生产最新HBM产品——HBM3E 8H(八层堆叠),并计划在第二季度批量生产下一代HBM芯片-HBM3E 12H(12层堆叠)。此外,由于公司专注于HBM的生产,预计下半年先进DRAM产品的供应将受到额外限制。

分析人士说,三星在年中更换如此高职位负责人是不寻常的,因为其大多数人事变动通常都在年初进行。

对此,三星方面表示,“希望他(Young Hyun Jun)凭借积累的经营经验,克服芯片危机。”

责任编辑:拾柒

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